金屬氧化物半導體集成電路

詞語解釋

⒈ 簡稱“mos集成電路”。由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的集成電路。工藝簡單、輸入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作頻率低。主要用于數字電路。分p溝道mos集成電路和n溝道mos集成電路兩種。將兩者互補構成互補型集成電路（cmos）。應用廣泛。