The micro - actuators are fabricated by use of DRIE on SOI wafer.
本文中的微執行器采用深層反應離子刻蝕(DRIE)技術在硅隔離襯底(SOI)硅片上制作.
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The rooting effect of the structure in deep reactive ion etching ( DRIE ) process was investigated.
給出了加速度計的制作工藝流程,研究了解決深 反應離子刻蝕 過程中的過刻蝕現象的方法.
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